Fabrication of SiO2-Humps on Silicone Rubber Using F2 Laser
Fabrication of SiO2-Humps on Silicone Rubber Using F2 Laser
复制标题
F2 激光在硅橡胶上制备 SiO2 驼峰
DOI：
10.1143/jjap.41.l1088
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发表时间：
2002
影响因子：
1.5
通讯作者：
N. Inoue
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Takao;M. Okoshi;N. Inoue
在157nm F2激光照射下，硅橡胶表面膨胀，形成SiO2玻璃层。在20 Hz下，以14 mJ/cm2的激光照射10分钟，产生3µm厚的SiO2峰，但在193 nm的ArF激光照射下，表面没有发生变化。高光子能量的F2激光器可能导致这两种现象。这是一项有用的新技术，可以同时进行加工和修改。
The surface of silicone rubber swelled and was modified to a SiO2 glass layer when irradiated by a 157-nm F2 laser. Ten minutes of irradiation of the laser with fluence of 14 mJ/cm2 operating at 20 Hz produced 3-µm-thick SiO2 humps, but the surface was not modified when a 193-nm ArF laser was used. High photon energy of the F2 laser may cause the two phenomena. This is a useful new technique which enables both processing and modification to be carried out at the same time.