Masafumi Tamura: "Ultrathin Silicon oxynitride layer with a low leakage current density"3rd COE Symposium on Atomic Scale Processing and Novel Properties in Nanoscopic Materials. 38 (2000)
Masafumi Tamura: "Ultrathin Silicon oxynitride layer with a low leakage current density"3rd COE Symposium on Atomic Scale Processing and Novel Properties in Nanoscopic Materials. 38 (2000)
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Masafumi Tamura：“具有低漏电流密度的超薄氮氧化硅层”第三届 COE 原子级加工和纳米材料新特性研讨会。
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