Quasisaturation Effect and Optimization for 4H-SiC Trench MOSFET With P+ Shielding Region
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DOI：
10.1109/ted.2021.3096919
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Weifeng Sun
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hao Fu;Jiaxing Wei;Zhaoxiang Wei;Siyang Liu;Lihua Ni;Zhuo Yang;Weifeng Sun
