E.Tokumitsu,K.Okamoto and H.Ishiwara: "Low Voltage Operation of Nonvolatile Metal-Ferroelectric-Metal-Insulator-Semiconductor (MFMIS)-FETs Using Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SrTa_2O_6/SiON/Si Structures"Jpn.J.Appl.Phys.. 39(to be published). (2001)
E.Tokumitsu,K.Okamoto and H.Ishiwara: "Low Voltage Operation of Nonvolatile Metal-Ferroelectric-Metal-Insulator-Semiconductor (MFMIS)-FETs Using Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SrTa_2O_6/SiON/Si Structures"Jpn.J.Appl.Phys.. 39(to be published). (2001)
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E.Tokumitsu、K.Okamoto 和 H.Ishiwara：“使用 Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SrTa_2O_6/SiON/Si 结构的非易失性金属-铁电-金属-绝缘体-半导体 (MFMIS)-FET 的低电压操作”Jpn.J。
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