Ex situ re-calibration method for low-cost precision epitaxial growth of heterostructure devices
Ex situ re-calibration method for low-cost precision epitaxial growth of heterostructure devices
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异质结构器件低成本精密外延生长的异位重校准方法
DOI：
10.1088/0268-1242/17/2/308
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发表时间：
2002
影响因子：
1.9
通讯作者：
M. Goringe
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. K. Hayden;A. Gunnaes;M. Missous;R. Khan;M. Kelly;M. Goringe
一种简单的方法，用于高精度的外延半导体生长，使用非原位材料分析频繁重新校准，已经开发出来。所示的方法，以允许用于低成本的商业异质结构器件的材料的可再现的增长。即使是隧道器件，其生长参数的极端敏感性，显示在几个月内生长的晶片的电气特性的变化很小。
A simple method for high-precision epitaxial semiconductor growth, using ex situ materials analysis for frequent re-calibration, has been developed. The method is shown to allow reproducible growth of material for use in low-cost commercial heterostructure devices. Even tunnel devices, with their extreme sensitivity to growth parameters, show little variation in the electrical characteristics from wafers grown several months apart.