Point defect determination by photoluminescence and capacitance–voltage characterization in GaN terahertz Gunn diode

Point defect determination by photoluminescence and capacitance–voltage characterization in GaN terahertz Gunn diode
复制标题

DOI:
--
复制
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
1.7
通讯作者:
--
中科院分区:
物理与天体物理3区
文献类型:
--
作者:
Li Liang(李亮);Yang Lin-An(杨林安);Zhou Xiao-Wei(周小伟);Zhang Jin-Cheng(张进成);Hao Yue(郝跃);

文献摘要

相似文献