Similarities of lag phenomena and current collapse in field-plate AlGaN/GaN HEMTs with different types of buffer layers

Similarities of lag phenomena and current collapse in field-plate AlGaN/GaN HEMTs with different types of buffer layers
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具有不同类型缓冲层的场板 AlGaN/GaN HEMT 滞后现象和电流崩塌的相似性

DOI:
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发表时间:
2017
影响因子:
1.6
通讯作者:
N. Noda and K. Horio
N. Noda and K. Horio
中科院分区:
工程技术4区
文献类型:
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作者:
R. Tsurumaki;N. Noda and K. Horio

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