Use of water vapor for suppressing the growth of unstable low-k interlayer in HfTiO gate- dielectric Ge metal-oxide-semiconductor capacitors with sub-nanometer capacitance equivalent thickness
Use of water vapor for suppressing the growth of unstable low-k interlayer in HfTiO gate- dielectric Ge metal-oxide-semiconductor capacitors with sub-nanometer capacitance equivalent thickness
复制标题
利用水蒸气抑制亚纳米电容等效厚度HfTiO栅介质Ge金属氧化物半导体电容器中不稳定低k中间层的生长
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
J. P. Xu, X. Zou, P. T. Lai, C. X. Li, C. L. Chan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J. P. Xu, X. Zou, P. T. Lai, C. X. Li, C. L. Chan
