高分解能RBSによる歪Si(001)上のGe成長初期過程の観察
高分解能RBSによる歪Si(001)上のGe成長初期過程の観察
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使用高分辨率 RBS 观察应变 Si(001) 上 Ge 生长的初始过程
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
木村健二
中科院分区：
文献类型：
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作者：
錦織雅弘;中嶋 薫;鈴木基史;木村健二
