K.Sawada, I.Katayama, J.Yamasaki, M.Kosugi and T.Ando: "An a-Si:H Separated Absorption and Multiplication Type Photodiode with a-Si_3N_4 Blocking Layer" Japanese Journal of Applied Physics. 32. L39-L41 (1993)
K.Sawada, I.Katayama, J.Yamasaki, M.Kosugi and T.Ando: "An a-Si:H Separated Absorption and Multiplication Type Photodiode with a-Si_3N_4 Blocking Layer" Japanese Journal of Applied Physics. 32. L39-L41 (1993)
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K.Sawada、I.Katayama、J.Yamasaki、M.Kosugi 和 T.Ando：“具有 a-Si_3N_4 阻挡层的 a-Si:H 分离吸收和倍增型光电二极管”日本应用物理学杂志。
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