Electron Holography Study of a GaN/AlGaN Interface and a GaN Crystal on Si Substrates.
Electron Holography Study of a GaN/AlGaN Interface and a GaN Crystal on Si Substrates.
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Si 衬底上 GaN/AlGaN 界面和 GaN 晶体的电子全息研究。
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Tanji ほか4名
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Mitsutoshi Ueda;Kenichi Kawamura and Toshio Maruyama;T.Tanji ほか4名
