Fluorescence XAFS analysis on Eu-doped AlGaN layer grown by organometallic vapor phase epitaxy

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有机金属气相外延生长的 Eu 掺杂 AlGaN 层的荧光 XAFS 分析

DOI:
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发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
Y.Fujiwara
Y.Fujiwara
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
H.Ofuchi;K.Kawabata;A.Nishikawa;D.Lee;N.Furukawa;Y.Terai;T.Honma;Y.Fujiwara

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