GaN自立基板中のらせん成分を含む貫通転位部に形成したショットキー接触におけるリーク特性評価
GaN自立基板中のらせん成分を含む貫通転位部に形成したショットキー接触におけるリーク特性評価
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GaN 自支撑衬底中包含螺旋成分的螺纹位错处形成的肖特基接触的泄漏特性评估
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
酒井朗
中科院分区：
文献类型：
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作者：
濱地威明;藤平哲也;林侑介;宇佐美茂佳;今西正幸;森勇介;酒井朗
