Epitaxial NiSi_2 Buffer Technique for Fluoride Resonant Tunneling Devices on Si
Epitaxial NiSi_2 Buffer Technique for Fluoride Resonant Tunneling Devices on Si
复制标题
硅上氟化物谐振隧道器件外延NiSi_2缓冲技术
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kazuo Tsutsui
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Keita Takahashi;Yuki Yoshizumi;Yuji Fukuoka;Noboru Saito;Kazuo Tsutsui
