T.Nishinga, P, Ge, J.Huo and T.Nakamura: "Melt growth of striation and etch pit free GasB under microgravity" J.Crystal Growth. 174. 96-100 (1997)
T.Nishinga, P, Ge, J.Huo and T.Nakamura: "Melt growth of striation and etch pit free GasB under microgravity" J.Crystal Growth. 174. 96-100 (1997)
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T.Nishinga、P、Ge、J.Huo 和 T.Nakamura：“微重力下条纹和无蚀刻坑 GasB 的熔融生长”J.Crystal Growth。
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