High pressure–high temperature seeded growth of GaN on 1 in sapphire/GaN templates: Analysis of convective transport
High pressure–high temperature seeded growth of GaN on 1 in sapphire/GaN templates: Analysis of convective transport
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蓝宝石/GaN 模板中 1 上 GaN 的高压高温籽晶生长：对流传输分析
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2007.07.004
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发表时间：
2007
影响因子：
1.8
通讯作者：
S. Porowski
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Boćkowski;P. Strak;P. Kempisty;I. Grzegory;S. Krukowski;B. Lucznik;S. Porowski
