Terahertz Detection with Field-effect Transistors: Intrinsic versus Device Sensitivity Limits
Terahertz Detection with Field-effect Transistors: Intrinsic versus Device Sensitivity Limits
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使用场效应晶体管进行太赫兹检测：固有灵敏度限制与器件灵敏度限制
DOI：
10.1364/sensors.2014.setu5a.2
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
3.9
通讯作者：
G. Roskos
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Lisauskas;Sebastian Boppela;M. Bauer;J. Zdanevicius;J. Matukas;V. Krozer;G. Roskos
我们讨论了使用不同类型的场效应晶体管探测太赫兹辐射灵敏度的基本和实际限制。介绍了不同的材料系统，包括硅CMOS， AlGaN/GaN hemt，碳纳米管和石墨烯
We discuss on both fundamental and practical limitations for detection sensitivity of terahertz radiation using different kinds of field-effect transistors. Presentation overview different material systems including silicon CMOS, AlGaN/GaN HEMTs, carbon nanotubes and graphene