Ge-Sb-Te interfacial phase change memory material for THz device applications
Ge-Sb-Te interfacial phase change memory material for THz device applications
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用于太赫兹器件应用的 Ge-Sb-Te 界面相变存储材料
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Nakano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Makino;S. Kuromiya;K. Takano;M. Nakajima;Y. Saito;J. Tominaga;and T. Nakano
