Experimental Study on the Universality of Mobility Behavior in Ultra Thin Body SOI pMOSFETs

Experimental Study on the Universality of Mobility Behavior in Ultra Thin Body SOI pMOSFETs
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超薄体 SOI pMOSFET 迁移行为普遍性的实验研究

DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 44, No. 6A
影响因子：
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通讯作者：
T. Hiramoto
T. Hiramoto
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
G. Tsutsui;M. Saitoh;T. Nagumo;T. Hiramoto

文献摘要

被引文献

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