高移動度p型酸化物半導体Cu_2O薄膜の作製と電界効果
高移動度p型酸化物半導体Cu_2O薄膜の作製と電界効果
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高迁移率p型氧化物半导体Cu_2O薄膜的制备及电场效应
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
松崎 功佑
中科院分区：
文献类型：
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作者：
渡辺 亮子;鎌田 香織;彌田 智一;K. Matsuzaki;K. Matsuzaki;K. Matsuzaki;松崎功佑;松崎 功佑
