GaAs/GaAsP歪み補償超格子構造による高量子効率・高スピン偏極度電子源の開発
GaAs/GaAsP歪み補償超格子構造による高量子効率・高スピン偏極度電子源の開発
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利用GaAs/GaAsP应变补偿超晶格结构开发高量子效率和高自旋极化电子源
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
竹田美和
中科院分区：
文献类型：
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作者：
金 秀光;山本将博;真野篤志;山本尚人;竹田美和
