Disorder-induced linear magnetoresistance in (221) topological insulator Bi2Te3 films

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(221) 拓扑绝缘体 Bi2Te3 薄膜中无序引起的线性磁阻

DOI:
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发表时间:
2013
影响因子:
4
通讯作者:
J.N. Wang
J.N. Wang
中科院分区:
物理与天体物理2区
文献类型:
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作者:
X. Guo;Z.J. Xu;M.H. Xie;J.N. Wang

文献摘要

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