Large modulation of electronic states in InAs quantum dots by electric-double-layer gating
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通过双电层门控对 InAs 量子点中的电子态进行大调制
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Iwasa and K. Hirakawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Shibata;H.T. Yuan;Y. Iwasa and K. Hirakawa
