Off-Angle Dependence of Void Formation and Defect Behavior in a-Plane MOVPE-GaN on r-Plane Sapphire Substrate
Off-Angle Dependence of Void Formation and Defect Behavior in a-Plane MOVPE-GaN on r-Plane Sapphire Substrate
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r 平面蓝宝石衬底上的 a 平面 MOVPE-GaN 中空洞形成和缺陷行为的偏角依赖性
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N. Kuwano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Ujiie;K.Nakamori;S.Mashiko;H.Udono;T.Nagata;N. Kuwano
