低温度ALD法を用いてAl2O3及びSiO2下地基板へ形成したIn2O3膜の特性
低温度ALD法を用いてAl2O3及びSiO2下地基板へ形成したIn2O3膜の特性
复制标题
低温ALD法在Al2O3和SiO2基底上形成In2O3薄膜的特性
DOI：
--
复制
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
小椋 厚志
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
小林陸、生田目 俊秀;栗島 一徳;木津 たきお;女屋 崇;大井 暁彦;池田 直樹;長田 貴弘;塚越 一仁 ;小椋 厚志
