Characterization of RF Sputter‐Deposited Ti‐W Schottky Barrier Diodes in Boron‐Doped Silicon
Characterization of RF Sputter‐Deposited Ti‐W Schottky Barrier Diodes in Boron‐Doped Silicon
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掺硼硅中射频溅射沉积 Ti-W 肖特基势垒二极管的表征
DOI：
10.1149/1.2115944
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发表时间：
1984
影响因子：
3.9
通讯作者：
J. White
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
O. Paz;F. Auret;J. White
LES专有des Defauts Inducts Inducts LE Depot Par Der粉碎化AUUHUT频率De Contact Ti-W Sur Si-p Sont etudiee Par les Caracteristique Courant-TURATION，分光镜Transitoire de niveaux Proffond et Courants Induits Par faisceau Electronique en ftion des recuits等时序等温线。La hauteur de Barriere de0，56 V前卫恢复0，5 V恢复等时线。《光谱分析》是一种全新的粉碎化技术。在500摄氏度的高温下，我们需要第二代人的支持，我们需要更多的支持。Les Courants实业的电子化时刻描述了Long Gaugueur de la Long gueur de Difference Que和La Tempert de Recuit Engment e。联合国接受者E V+0，35 EV估计不再是堡垒中心
Les proprietes des defauts introduits pendant le depot par pulverisation aux hautes frequences de contacts Ti-W sur Si-p sont etudiees par les caracteristiques courant-tension, spectroscopie transitoire de niveaux profonds et courants induits par faisceau electronique en fonction des recuits isochrones et isothermes. La hauteur de barriere decroit de 0,56 V avant recuit a 0,5 V apres recuit isochrone. La spectroscopie transitoire de niveaux profonds indique plusieurs etats de defaut cristallin induits par la pulverisation. Le recuit elimine quelques-uns des defauts, mais une seconde generation de defauts persiste apres un recuit a 500°C, seulement distribues un peu plus profondement dans le support. Les courants induits electroniquement montrent une decroissance de la longueur de diffusion quand la temperature de recuit augmente. Un piege accepteur a E V +0,35 eV est un fort centre de recombinaison