理論計算と中性子・放射光X線を用いた(Sr,Na)2MgSi2O7-d系イオン伝導体の平均・局所構造解析
理論計算と中性子・放射光X線を用いた(Sr,Na)2MgSi2O7-d系イオン伝導体の平均・局所構造解析
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利用理论计算以及中子和同步加速器辐射 X 射线对 (Sr,Na)2MgSi2O7-d 基离子导体进行平均和局部结构分析
DOI:
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发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
宇野 弘樹,北村 尚斗,石田 直哉,井手本 康
中科院分区:
文献类型:
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作者:
Xiangfen Jiang;Xuebin Wang;Dmitri Golberg;Yoshio Bando;宇野 弘樹,北村 尚斗,石田 直哉,井手本 康