Contactless Photoelectrochemical Etching of n-GaN in K2S2O8 solution
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K2S2O8 溶液中非接触式光电化学刻蚀 n-GaN
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Sato
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Toguchi;K. Miwa;F. Horikiri;N. Fukuhara;Y. Narita;T. Yoshida;and T. Sato
