Carrier effective mobilities in germanium MOSFET inversion layer investigated by Monte Carlo simulation
Carrier effective mobilities in germanium MOSFET inversion layer investigated by Monte Carlo simulation
复制标题
通过蒙特卡罗模拟研究锗 MOSFET 反型层中的载流子有效迁移率
DOI：
10.1016/j.sse.2005.08.010
复制
发表时间：
2005
影响因子：
1.7
通讯作者：
R. Han
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Z. Xia;G. Du;Xiaoyan Liu;Jinfeng Kang;R. Han
