Low-temperature (～250oC) Crystallization of Poly-SiGe Films by Gold-Induced Layer-Exchange Technique for Flexible Electronics
Low-temperature (～250oC) Crystallization of Poly-SiGe Films by Gold-Induced Layer-Exchange Technique for Flexible Electronics
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利用金诱导层交换技术实现柔性电子多晶硅Ge薄膜的低温（~250oC）结晶
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et al
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J.Park;et al
