単一InAs量子リングにおける正孔面内g因子の測定 (B-4)

単一InAs量子リングにおける正孔面内g因子の測定 (B-4)
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单 InAs 量子环中空穴面内 g 因子的测量 (B-4)

DOI:
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发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
足立 智
足立 智
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
冨永 隆宏,鍜治 怜奈,呉 祐年,鄭 舜仁;足立 智

文献摘要

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