Combined photothermal lens and photothermal mirror Z-scan of semiconductors
Combined photothermal lens and photothermal mirror Z-scan of semiconductors
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半导体光热透镜和光热镜组合 Z 扫描
DOI：
10.1007/s00340-021-07661-2
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Sánchez, José Luis
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Marcano Olaizola, Aristides;Sánchez, José Luis
利用热透镜和热镜Z扫描实验研究了半导体材料的光热特性。我们固定样品的位置，方便对齐过程和实验的解释。通过扫描聚焦泵浦光束的透镜，我们获得Z扫描特征。热透镜实验用波长为1064 nm的二极管激光器作为探测光，光热镜实验用氦氖激光器作为探测光。使用望远镜，我们准直了具有几毫米的几乎恒定半径的探测光束。在该配置中，z扫描响应是单峰的。我们使用基于菲涅耳衍射近似的模型来拟合这两个实验结果。拟合确定了光热相移、光热量子产率、光路的温度变化和热扩散率。我们研究两个半导体：砷化镓和硅获得良好的协议与以前报道的数据。
We perform thermal lens and thermal mirror Z-scan experiments to study the photothermal properties of semiconductors. We fix the sample’s position, facilitating the alignment procedure and the experiment’s interpretation. By scanning the lens, which focuses the pump beam, we obtain the Z-scan signature. A diode laser at 1064 nm provides the probe beam for the thermal lens experiment, while a Helium–Neon laser generates it for the photothermal mirror one. Using a telescope, we collimated the probe beam having a nearly constant radius of few millimeters. In this configuration, the z-scan response is single peaked. We fit both experimental results using a model based on the Fresnel diffraction approximation. The fitting determines the photothermal phase shift, the photothermal quantum yield, the temperature change of the optical path, and the thermal diffusivity. We study two semiconductors: Gallium Arsenide and Silicon obtaining good agreement with previously reported data.
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作者：
Olaizola, Aristides Marcano
通讯作者：
Olaizola, Aristides Marcano