Site hopping of individual dopant atoms in Si crystal observed by Cs-corrected ADF-STEM
Site hopping of individual dopant atoms in Si crystal observed by Cs-corrected ADF-STEM
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通过 Cs 校正 ADF-STEM 观察到 Si 晶体中单个掺杂剂原子的位点跳跃
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yamasaki;J.;Okunishi;E.;Sawada;H and Tanaka;N
