半導体Ge中のホウ素不純物のβ-NMR

半導体Ge中のホウ素不純物のβ-NMR
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半导体Ge中硼杂质的β-NMR

DOI:
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发表时间:
2006
期刊:
原子核プローブ生成とそれを用いた物性研究専門研究会報告書 KURRI-KR6
影响因子:
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通讯作者:
泉川 卓司
泉川 卓司
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
K.Hino;N.Toshima;高崎 寛;T.Izumikawa;M.Mihara;泉川 卓司

文献摘要

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