A simple technique to measure stress in ultrathin films during growth
A simple technique to measure stress in ultrathin films during growth
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测量超薄膜生长过程中应力的简单技术
DOI：
10.1063/1.1145316
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发表时间：
1995
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J. Kirschner
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Sander;A. Enders;J. Kirschner
我们演示了悬臂弯曲梁方法的简单实现，用于测量超高真空中薄膜生长过程中的应力。使用简单紧凑的光学偏转技术，可以检测具有亚单层灵敏度的薄膜应力。提出了 Si(111) 上 FeSi2 形成过程中的应力测量。
We demonstrate an easy implementation of the cantilever bending beam approach to measure stress during film growth in ultrahigh vacuum. Using a simple and compact optical deflection technique, film stress with sub‐monolayer sensitivity can be detected. A stress measurement during FeSi2 formation on Si(111) is presented.
Ag原子在Si(111)7×7表面吸附和协同扩散形成簇的过程
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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作者：
冷清水裕子;泉水一紘;Jacek Osiecki;千葉朋;名取晃子;粕谷厚生;須藤彰三
通讯作者：
須藤彰三