New prospects on high on-current and steep subthreshold slope for innovative Tunnel FET architectures
New prospects on high on-current and steep subthreshold slope for innovative Tunnel FET architectures
复制标题
创新隧道 FET 架构的高导通电流和陡亚阈值斜率的新前景
DOI：
10.1016/j.sse.2019.03.046
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发表时间：
2019
影响因子：
1.7
通讯作者：
M. Vinet
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C. Llorente;J. Colinge;S. Martinie;S. Cristoloveanu;J. Wan;C. L. Royer;G. Ghibaudo;M. Vinet
