Fabrication of AlGaN multiple quantum wells on sapphire with lattice-relaxation layer
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具有晶格弛豫层的蓝宝石上 AlGaN 多量子阱的制备
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yuji Kobayashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kazuhiro Nakahama;Fumitsugu Fukuyo;Hideto Miyake;Kazumasa Hiramatsu;Harumasa Yoshida;Yuji Kobayashi
