Fabrication of back-illuminated, fully depleted charge-coupled devices
Fabrication of back-illuminated, fully depleted charge-coupled devices
复制标题
背照式、完全耗尽电荷耦合器件的制造
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
G. Wang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Holland;K. Dawson;N. Palaio;J. Saha;N. Roe;G. Wang
