Structural and electrical properties of H-terminated diamond field-effect transistor
Structural and electrical properties of H-terminated diamond field-effect transistor
复制标题
H端接金刚石场效应晶体管的结构和电学特性
DOI：
10.1016/j.diamond.2009.01.020
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发表时间：
2009
影响因子：
4.1
通讯作者：
H. Kageshima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Kubovic;M. Kasu;Y. Yamauchi;K. Ueda;H. Kageshima
