Gap Formation in the Filled Skutterudite CeOs4Sb12
Gap Formation in the Filled Skutterudite CeOs4Sb12
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填充方钴矿 CeOs4Sb12 中的间隙形成
DOI：
10.1143/jpsj.72.2722
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发表时间：
2003
影响因子：
1.7
通讯作者：
H. Sato
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Matsunami;H. Okamura;T. Nanba;H. Sugawara;H. Sato
本文研究了方钴矿CeO_4 Sb_1_2填充体的光导性能.电导率谱显示出很强的温度依赖性，并揭示了60.以下的能隙为30 meV。
We have studied the optical conductivity of the filled skutterudite CeOs 4 Sb 12 . The optical conductivity spectra show a strong temperature dependence and reveal an energy gap of ∼30 meV below 60...