Yasuo Koide: "Initial Stage of Growth of Ge on(100)Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy Lising GeH_4." Japanese Journal of Applied Physics. 28. L690-L693 (1989)
Yasuo Koide: "Initial Stage of Growth of Ge on(100)Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy Lising GeH_4." Japanese Journal of Applied Physics. 28. L690-L693 (1989)
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Yasuo Koide：“通过气源分子束外延法实现 GeH_4 在 (100)Si 上生长 Ge 的初始阶段。”
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