Decay of 50V.
Decay of 50V.
复制标题
衰减50V。
DOI：
10.1103/physrevc.39.2367
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发表时间：
1989
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Jagam
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Simpson;Moorhouse;Jagam
本文用低本底三晶本征锗探测器研究了在盐矿中工作的/sup 50/V的衰变。电子俘获衰变到第一激发态的部分半衰期估计为（2.05 ± 0.49）/次/10/sup 17/ yr，电子俘获衰变到第一激发态的部分半衰期估计为（2.05 ± 0.49）/次/10/sup 17/ yr。beta..估计/sup 50/Cr衰变到第一激发态的速率为（8.2/sub /minus/3.1//sup +13.1/）/次/10/sup 17/年。
The decay of /sup 50/V has been studied with a low-background, three-crystal intrinsic Ge detector operating in a salt mine. The partial half-life for electron-capture decay to the first excited state of /sup 50/Ti has been estimated to be (2.05+-0.49)/times/10/sup 17/ yr, and the partial half-life for ..beta../sup /minus// decay to the first excited state of /sup 50/Cr has been estimated to be (8.2/sub /minus/3.1//sup +13.1/)/times/10/sup 17/ yr.