Electron-phonon coupling in highly doped n type silicon
Electron-phonon coupling in highly doped n type silicon
复制标题
高掺杂 n 型硅中的电子声子耦合
DOI：
10.1016/0038-1098(75)90650-x
复制
发表时间：
1975
影响因子：
2.1
通讯作者：
A. Subashiev
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Jouanne;R. Beserman;I. Ipatova;A. Subashiev
