音響フォノン変調によるSOI, Double-Gate, FinFETでの電子移動度劣化の理論解析
音響フォノン変調によるSOI, Double-Gate, FinFETでの電子移動度劣化の理論解析
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由于声学声子调制导致 SOI、双栅和 FinFET 中电子迁移率下降的理论分析
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中里和郎
中科院分区：
文献类型：
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作者：
服部淳一;宇野重康;森伸也;中里和郎
