Bulk crystalline photovoltaic Si_<1-x>Ge_x(x=0.3〜0.8)by using a die-casting growth method
Bulk crystalline photovoltaic Si_<1-x>Ge_x(x=0.3〜0.8)by using a die-casting growth method
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压铸生长体晶光伏Si_<1-x>Ge_x(x=0.3～0.8)
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Baba
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Akasaka;T. Iida;T. Baba;S. Kawakami;K. Nishio;Y. Takanashi;T. Baba
