Al濃度1E20 cm^-3台前半でのp型4H-SiC CVDエピ膜の結晶性と電気特性との関係
Al濃度1E20 cm^-3台前半でのp型4H-SiC CVDエピ膜の結晶性と電気特性との関係
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Al浓度在1E20 cm^-3范围内p型4H-SiC CVD外延薄膜结晶度与电性能的关系
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
奥村 元
中科院分区：
文献类型：
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作者：
近藤 佑樹;日高 淳輝;松浦 秀治;紀 世陽;江藤 数馬;児島 一聡;加藤 智久;吉田 貞史;奥村 元
