Naoyuki Hosoya: "New Approach for Si Atomic-Layer-Controlled Growth Method Using Thermally-Cracked Hydride Molecule"Abs.1'st Int.Workshop on New Group IV Semiconductors. 1. VI02 (2001)
Naoyuki Hosoya: "New Approach for Si Atomic-Layer-Controlled Growth Method Using Thermally-Cracked Hydride Molecule"Abs.1'st Int.Workshop on New Group IV Semiconductors. 1. VI02 (2001)
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Naoyuki Hosoya：“使用热裂解氢化物分子的硅原子层控制生长方法的新方法”Abs.1 新型 IV 族半导体国际研讨会。
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