シリコン中間層を用いた炭化珪素薄膜低温形成法
シリコン中間層を用いた炭化珪素薄膜低温形成法
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使用硅中间层的碳化硅薄膜低温形成方法
DOI:
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发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
津地雅希,羽深等
中科院分区:
文献类型:
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作者:
A. Takeda;A Minowa;T. Oku;A. Suzuki;K. Kikuchi;Y. Yamasaki;津地雅希,羽深等