Fabrication of GaN nanostructure by hydrogen environment anisotropic thermal etching (HEATE) technique
Fabrication of GaN nanostructure by hydrogen environment anisotropic thermal etching (HEATE) technique
复制标题
氢环境各向异性热刻蚀（HEATE）技术制备GaN纳米结构
DOI：
--
复制
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and A. Kikuchi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. Kita;H. Hachiya;R. Hachiya;and A. Kikuchi
