Switching behavior of resistive change memory using oxide nanowires
Switching behavior of resistive change memory using oxide nanowires
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使用氧化物纳米线的电阻变化存储器的开关行为
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Kouichi Takase
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takashige Aono;Kosuke Sugawa;Tomohiro Shimizu;Shoso Shingubara;and Kouichi Takase
